這一擊直拳勢大力沉 SAML和臺積電遭致命重創

當今世界最重要的元素不過是石油、鋼鐵、糧食、芯片、稀土。

石油、糧食、芯片的重要性眾所皆知。如果說鋼鐵被稱為工業的糧食、芯片被稱為工業的大腦，稀土則被譽為“工業的維生素”，稀土17種金屬元素、尤其是7種重金屬元素，在工業中具有不可替代的作用，尤其是在冶金、電子、光學和新能源等領域。

現在，中國在上述領域均有重大突破。

石油領域，俄羅斯堅持要求印度購買俄石油必須用人民幣支付，印度硬抗了沒多久，面對現實不得不低頭，終於同意用人民幣結算印俄石油貿易。人民幣在石油美元中打入一個楔子。

鋼鐵領域，中國開拓了多元化進口渠道後，對澳方攤牌：今後要麼用人民幣結算，要麼雙方終止所有鐵礦石採購合作。這個強硬的態度讓澳鐵礦石巨頭“必和必拓”措手不及，硬抗了幾天後，面對堆積成山的鐵礦石時，中國與妥協，同意與中國的鐵礦石交易改以人民幣結算。

糧食領域，其中大豆是中國大量需求的，過去主要從美國進口（佔美國大豆出口的60%），當中國開闢了巴西、阿根廷、俄羅斯、澳大利亞多個渠道後，拒絕進口美國大豆。結果美國大豆堆積如山，失去定價權。

半導體方面，中國已經佔據成熟芯片的逾三分之一，預計2028年將超過40%，超過臺積電成為世界第一。而且用DUV疊加技術，製造出7奈米芯片。DUV光刻機制造也成功在望。但是美國聯合荷蘭、日本在光刻機、7奈米以下先進芯片和半導體材料方面對中國實施制裁。

現在，中國直接攤牌，釋出核彈級別的資源和技術核彈：全面管控稀土技術！

**中國國慶假期剛過，中國公佈對稀土相關技術出口管制新規。**新規涵蓋稀土資源、從開採、提煉、製造、二次資源回收利用的設備、技術及相關資料等數據和機構、技術人員，還包括貿易性出口以及通過知識產權許可、投資、交流……各個環節的二級管控。

還特別強調嚴控“磁材製造”技術，包括釤鈷、釹鐵硼、鈰磁體制造技術等。

稀土技術管控的底線：①為中國技術的0.1%！（中國所產稀土佔產品價值0.1%以上，須向中方申請許可）②海外軍事用途的稀土出口“將不予放行”！

此外，中國還將嚴管芯片所需稀土技術。包括規範邏輯芯片、存儲芯片、具潛在軍事用途的人工智能須逐案審批。

今年4月，中國對17種稀土中的七種及其製成的磁體實施出口管制。新規範圍更廣，部分條款涵蓋了所有稀土品類。數據顯示，2024年中國稀土生產量佔全球7成，7種重金屬元素佔99%。

為加強管制，早在幾個月前，中國政府已經已經嚴控任何稀土製造設備出境，並對稀土行業的技術人員實施管控。

稀土從資源管控躍升至技術管制，並且全覆蓋。

這種密不透風的嚴苛管制，包括從美國師傅那裡學來的“長臂管轄”，以其人之道還治其人之身，將嚴重打擊美西方（包括中國臺灣）軍事、經濟和科技產業。

中國此舉被稱為稀土核彈和技術核彈，因此被稱為中國掀桌子或對美西方全面攤牌。也有自身分析家說：中國打出撲克牌中的絕張，除非美國拿出對等籌碼（EUV光刻機、先進芯片）交換，否則此局無解！

美國專家指出，“中國正在採取強硬手段。”“使北京得以完全掌控全球人工智能和現代電子產品的供應鏈”。

外界認為，中國稀土新規將沉重打擊包括ASML、臺積電、英偉達和蘋果在內的全球半導體供應鏈。

且不說中國的稀土技術管制將嚴重影響美西方軍工入F-35戰鬥機和導彈、航空、發動機、汽車、無人機、工業機器人和海上風力發電機中的電機……

更將嚴重打擊美西方主導的半導體產業，ASML、臺積電的半導體壟斷地位將難以為繼。

從光刻機運轉，到芯片製造中材料拋光，再到前沿過程的介質優化，稀土以其獨特的物理化學特性，深度嵌入半導體產業鏈的每一個環節，成為驅動半導體產業升級的隱形引擎。

從ASML設備製造的精密運動控制，到材料製備的核心耗材，再到先進製程的製程優化，稀土已成為支撐半導體產業向微型化、高性能化發展的戰略基礎。

中國稀土管制新規對SAML光刻機的打擊

光刻機是半導體制造的核心設備，堪稱“工業皇冠上的明珠”，其運行精度直接決定芯片製程的上限。以極紫外 (EUV) 微影機為例，晶圓臺與光罩臺需實現每小時超百片晶圓的奈米級掃描，此功能的核心在於無摩擦直線馬達與磁浮系統，而這些系統的驅動力與強磁場，正是由釹鐵硼 (NdFeB) 永磁體提供。

單臺 EUV 光刻機需搭載數十公斤NdFeB 磁鋼，其中釹 (Nd) 作為主成分賦予磁鐵超高磁能積，鏑 (Dy)、鋱 (Tb) 則透過調節居里溫度，確保磁體在高速運轉中保持穩定，避免高溫退磁。

如果缺少稀土永磁體，當代光刻設備的精密運動功能將完全失效。類似的場景也出現在離子注入機、蝕刻機的運動平臺與渦輪分子幫浦馬達中，NdFeB 永久磁鐵支撐的磁浮技術，讓晶圓傳送與設備驅動更有效率。

除運動控制外，稀土也深度參與光刻機的光源與光學系統。儘管 EUV 主光源不依賴稀土介質，但其輔助激光器普遍採用釹摻雜釔鋁石榴石 (Nd:YAG) 晶體，其中的 Nd³⁺離子能輸出高功率激光，經頻率轉換後滿足晶圓定位、對準的高精度檢測需求。

美國勞倫斯利弗莫爾國家實驗室開發的銩 (Tm) 激光器，更試圖透過 Tm³⁺離子產生的 2μm 激光，將 EUV 光源效率提升 10倍，為降低成本提供可能。

此外，光刻機的光學隔離器核心材料鋱鎵石榴石 (TGG) 晶體，依賴鋱 (Tb) 的強法拉第磁光效應，確保雷射單向通過，是深紫外線雷射穩定運行的“防護盾”。

中國稀土管制新規顯然將沉重打擊ASML！

中國稀土管制新規對臺積電製造先進芯片的打擊

稀土是製造芯片的關鍵原料，對先進半導體制造至關重要，包括多種類型的存儲芯片和邏輯芯片。

臺積電壟斷了先進芯片的大多數市場。其半導體制程正在向 3 奈米、2 奈米推進，它在美國投資建廠的主要製程正是3奈米、2奈米。

而稀土在先進製程的作用更加凸出。

傳統二氧化硅 (SiO₂) 柵介質因漏電問題難以為繼，產業轉而採用鉿、鋯基高介電常數材料，並透過摻雜鑭 (La)、釔進一步優化性能，例如在氧化銪 (HfO₂) 表面沉積氧化鑭 (La₂O₃)，經退火後鑭擴散至介質 / 硅界面，產生界面偶極效應，降低晶體管閾值電壓，滿足低功耗、高速度需求。

根據新規，全球主要先進邏輯芯片製造商臺積電以及韓國的存儲芯片製造商SK海力士和三星等企業均需逐一申請報批。批與不批，決定權在中國。臺積電、三星這些芯片製造巨頭如果再對中國禁售，後果是什麼，可想而知。

海外業內人士認為，如果中國嚴格管制上述稀土重金屬元素，臺積電、三星將寸步難行，很多目標都達不到，至少要大大推遲。

中國稀土管制新規對芯片製造材料產業的重大影響

在半導體材料與耗材領域，稀土的應用同樣關鍵。

極難提純的超純鏑，被用於芯片中以確保其在高溫環境下保持磁穩定性，如芯片電流調節裝置（即電容器）的材料，依靠稀土鏑提升耐熱性能。而全球99%的鏑元素精煉產能集中在中國。

稀土摻雜半導體材料展現出獨特潛力。銪 (Eu³⁺) 的 4f 電子能階躍遷可製備高色純度發光薄膜，與硅基 CMOS 製程兼容，為硅基光電整合提供光源方案。

化學機械拋光 (CMP) 是晶圓平坦化的核心工藝。其中氧化鈰 (CeO₂) 研磨劑因獨特的可變價態 (Ce³⁺/Ce⁴)，能與二氧化硅 (SiO₂) 表面反應生成易去除的鈰硅酸鹽，不僅提升材料去除速率，更能精準選擇氧化物層，避免侵蝕硅氮化物等周邊材料，成為淺溝隔離（STI）製程的“標準配置”。

蝕刻機腔體零件則依賴氧化釔 (Y₂O₃) 或氟化釔 (YF₃) 塗層；釔 (Y) 的氧化物在氟等離子環境中產生緻密 YF₃保護層，將零件壽命延長數倍，成為主流蝕刻設備的“耐用秘訣”。

更值得關注的是，鋁鈧 (AlSc) 合金靶材用於沉積 5G 射頻 BAW 濾波器的核心AlScN 薄膜，釹 (Nd)、鐠 (Pr) 靶材輔助磁阻隨機存取內存 (MRAM) 的磁性層製備，六方晶系鋁酸鎂鈧 (SCAM) 基板則透過匹配 GaN、ZnO 的晶格常數，解決了外延生長中的缺陷難題，為高頻裝置與功率裝置製造開闢新路徑。

稀磁半導體 (DMS) 透過摻雜變薄或過渡金屬，操縱基光電整合提供光源方案，並操縱有高電結構器與結構電能驅動器電結構的結構能電能發射器。

顯然，從光刻機設備核心零件到材料關鍵組分，從成熟製程優化到尖端技術探索，稀土已深度融入半導體產業全鏈條。它不僅是 EUV 光刻機實現奈米級精度的“動力來源”，是 CMP 拋光提升良率的“魔法粉”，更是先進製程突破漏電瓶頸、推動 5G 射頻與自旋電子器件創新的“隱形推手”。

在全球半導體供應鏈不確定性加劇的背景下，稀土的戰略價值進一步凸顯。如果說沒有芯片，將延遲工業和信息化進步步伐，那麼，沒有稀土，全球工業和信息產業將停擺。

可以，毫不誇大地說，中國稀土管制新規將開創全球產業鏈、包括半導體產業鏈充重組新紀元。

美國、荷蘭的ASM、臺積電、日本半導體材料商在封殺中國半導體時，需要好好掂量掂量！